A Vitesco Technologies és a ROHM hosszú távú szilícium-karbid ellátási együttműködést írt alá

A ROHM gyártóval 2020-ban megkezdett fejlesztési partnerség teremtette meg az alapját a most Regensburgban aláírt ellátási együttműködésnek. A Vitesco Technologies fejlett, integrált ROHM SiC chipekkel ellátott invertereit két ügyfél fogja alkalmazni az elektromos járművek hajtásláncaiban. A Vitesco Technologies az eredetileg meghatározott ütemezéstől hamarabb, már 2024-ben megkezdi az első sorozatprojekt szállítását.

A SiC-elemek lehetővé teszik az olyan rendkívül hatékony teljesítményelektronikai megoldások tervezését, amelyek például az elektromos autók invertereihez szükségesek. A SiC chipek kulcsfontosságú technológiának számítanak, különösen a nagyfeszültségű alkatrészek, valamint az olyan járművek esetében, amelyeknél fontos kritérium a nagyobb hatótávolság és az optimális hatékonyság. A fejlesztésekhez kapcsolódó meglévő együttműködés során az érintett SiC chipek folyamatos optimalizáláson mentek keresztül annak érdekében, hogy azok 2024-től kezdődően az inverterekben is alkalmazhatók legyenek.

„A ROHM-mel kötött ellátási együttműködés fontos építőkő a Vitesco Technologies jövőbeni SiC-kapacitásainak biztosításában.” – mondta Andreas Wolf, a Vitesco Technologies vezérigazgatója a regensburgi aláírási ceremónián. „Rendkívül jó tapasztalataink vannak a közös fejlesztési munka tekintetében, és most nemcsak folytatni szeretnénk ezt az előnyös együttműködést, hanem magasabb fokozatra is emelni.” – tette hozzá a vezérigazgató.

„A gyorsan növekvő autóipari piacon a SiC a nagyobb hatékonyság letéteményese. A várhatóan 30 százalékot meghaladó piaci részesedéssel erős pozícióban vagyunk, és a Vitesco Technologies személyében stratégiai partnerre találtunk a további piaci térhódításhoz.” – mondta Dr. Kazuhide Ino, a ROHM Co. Ltd. igazgatótanácsának tagja, ügyvezető igazgatója és pénzügyi igazgatója az aláírási ceremónián.

Kis ügy – nagy hatás

A szilícium-karbid az úgynevezett szélessávú félvezetők közé tartozik, amelyek széles sávszélessége (leegyszerűsítve: az anyagban lévő elektronok nem vezető és vezető állapota közötti energiarés) kisebb elektromos ellenállást, gyors és alacsony veszteségű kapcsolóchipek létrehozását teszi lehetővé a teljesítményelektronikában. Ugyanakkor a SiC chipek hőállóbbak, így az elektronikai eszközök teljesítménysűrűsége növelhető.

Ezeknek a tulajdonságoknak köszönhetően a SiC elektronikának a hagyományos szilíciumhoz (Si) képest alacsonyabb konverziós veszteségei vannak. Különösen magas feszültségszinteken, például 800 V-on, a SiC inverterek hatékonyabbak, mint a Si modellek. Mivel a 800 V a gyors és ezáltal kényelmes nagyfeszültségű töltés előfeltétele, a SiC-eszközök világméretű fellendülés előtt állnak. Az inverter átalakítási veszteségeinek csökkentése szintén jelentős az elektromos meghajtás általános hatékonysága és ezáltal a hatótávolság szempontjából. Ennek megfelelően erős a verseny az ebből a csúcstechnológiát jelentő anyagból készülő alkatrészek megfelelő kapacitásáért.